11月21日，河南大學(xué)申懷彬教授團(tuán)隊(duì)在量子點(diǎn)領(lǐng)域的研究成果以“Efficient green InP-based QD-LED by controlling electron injection and leakage”為題，在國際頂級期刊《自然》發(fā)表標(biāo)志著無毒量子點(diǎn)LED技術(shù)取得重要進(jìn)展，這是河南大學(xué)首次作為第一通訊單位在《自然》期刊發(fā)表研究成果。

　　LED顯示照明是我國的支柱半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，加快新型顯示照明LED研究，對于增強(qiáng)我國的產(chǎn)業(yè)競爭，有重要的意義。基于熒光量子點(diǎn)的電致發(fā)光器件(QD-LED)，相對于以往LED具有色域更廣、色純度更高、能耗更低等優(yōu)勢，有望在超高清顯示屏和高端照明等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。已經(jīng)成為世界各國競相爭奪的下一代主流發(fā)光顯示技術(shù)制高點(diǎn)之一。InP基量子點(diǎn)電致發(fā)光器件更是由于其環(huán)境友好的特點(diǎn)備受產(chǎn)業(yè)界青睞。相較于紅色和藍(lán)色器件，三基色之一的綠色I(xiàn)nP基QD-LED的效率和壽命成為制約全彩QD-LED商業(yè)化進(jìn)程的關(guān)鍵瓶頸。

　　為解決這一問題，河南大學(xué)的申懷彬教授與中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)的樊逢佳教授等人再次合作，在揭示器件電子輸運(yùn)機(jī)制的基礎(chǔ)上，提出并發(fā)展了新型大尺寸、高量子產(chǎn)率InP/ZnSe/ZnS核殼結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)的合成和結(jié)構(gòu)調(diào)控方法，通過厚ZnSe中間殼層的包覆，同時(shí)實(shí)現(xiàn)了電子注入提升和電子泄漏抑制，成功構(gòu)筑了峰值外量子效率(EQE)達(dá)到26.68%，亮度達(dá)到270,000 cd m-2，1,000 cd m-2初始亮度下T95壽命長達(dá)1,241 h的綠色I(xiàn)nP基QD-LED，刷新了世界紀(jì)錄。

　　研究團(tuán)隊(duì)通過自主研發(fā)的電激發(fā)瞬態(tài)吸收(EETA)技術(shù)分析了QD-LED的電子傳輸特征。研究發(fā)現(xiàn)，當(dāng)前基于綠色I(xiàn)nP/ZnSeS/ZnS量子點(diǎn)的QD-LED，由于存在較高的電子注入勢壘，發(fā)光層中電子濃度嚴(yán)重不足，無法填充缺陷(圖1)。

　　為此，團(tuán)隊(duì)設(shè)計(jì)了兩步關(guān)鍵實(shí)驗(yàn)：減少ZnSeS中間層中的ZnS含量(減少注入勢壘高度)，以及增加ZnSe中間層的厚度(增加限域勢厚度)。實(shí)驗(yàn)結(jié)果顯示，減少ZnSeS中間層的ZnS含量后，盡管器件中電子注入顯著提升，但電子泄漏也隨之加劇;而通過增厚ZnSe中間層，能夠在保障器件中電子注入效率的同時(shí)抑制了漏電流的產(chǎn)生(圖2)。

　　最終，使得綠色I(xiàn)nP基QD-LED性能大幅提升，其峰值EQE高達(dá)26.68%、峰值電流效率達(dá) 112.56 cd A-1、最大亮度為 277,000 cd m-2、在1,000 cd m-2初始亮度下T95壽命超過了1,200 h(圖3)。器件亮度、效率、壽命相對于以往領(lǐng)域內(nèi)前期世界紀(jì)錄分別提升了1.6、4、100倍。

　　本研究揭示了綠色I(xiàn)nP基QD-LED效率低下的關(guān)鍵原因，并提供了有效的解決方案，同時(shí)實(shí)現(xiàn)了電子注入提升和電子泄漏抑制，也為高性能QD-LED的設(shè)計(jì)提供了新思路。

　　博士研究生卞陽陽和嚴(yán)笑寒為共同第一作者，河南大學(xué)申懷彬教授和中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)樊逢佳教授、北京交通大學(xué)唐愛偉教授、河南大學(xué)陳斐博士為共同通訊作者，河南大學(xué)為第一通訊單位。該研究得到了國家自然科學(xué)基金委-區(qū)域創(chuàng)新發(fā)展聯(lián)合基金、國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃、河南大學(xué)優(yōu)秀青年科研創(chuàng)新團(tuán)隊(duì)等項(xiàng)目支持。

　　論文鏈接：

　　https://www.nature.com/articles/s41586-024-08197-z